Pode-se dizer que os transistores são os mais importantes entre os componentes de semicondutores. Algumas informações teóricas sobre o funcionamento destes últimos são dadas em
Semicondutores I. Nesta página são apresentados circuitos e parâmetros básicos da operação de transistores.
Configurações básicas (resumo) |
Topo | Fim
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Os transistores foram desenvolvidos originalmente para uso em amplificadores de sinais. Assim, seus parâmetros, isto é, características que definem um tipo, são muitas vezes dados em conformidade com essa aplicação (amplificadores).
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| Fig 01 |
É evidente que os diagramas da Figura 01 são apenas indicativos. Componentes outros, para polarização, acoplamentos, etc são necessários para os amplificadores reais.
A tabela seguinte dá um comparativo aproximado das três configurações. O tipo emissor comum é, de longe, o mais usado, pelo melhor compromisso entre os parâmetros.
| Tipo de configuração |
Emissor comum |
Base comum |
Coletor comum |
| Ganho de tensão |
médio |
alto |
baixo |
| Ganho de corrente |
médio |
baixo |
alto |
| Ganho de potência |
alto |
baixo |
médio |
| Impedância entrada |
média |
baixa |
alta |
| Impedância saída |
média |
alta |
baixa |
| Desvio de fase |
180° |
0° |
0° |
As demais configurações são em geral empregadas em circuitos de combinação de impedâncias ou de chaveamento.
Também é evidente que as comparações da tabela não são absolutas. As características podem variar bastante de acordo com o tipo de transistor e condições de operação.
Conforme já dito, os circuitos da Figura 01 do tópico anterior são apenas ilustrativos. Na operação prática, é preciso aplicar tensões para polarizar inversamente a junção do coletor e diretamente a de emissor. A Figura 01 deste tópico dá um exemplo para um transistor NPN.
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| Fig 01 |
Desde que a resistência direta da junção base-emissor é pequena e aproximadamente constante, pode-se dizer que a corrente de base deste circuito também é aproximadamente constante.
Esse comportamento, entretanto, implica um inconveniente decorrente do aumento da corrente de coletor com o aumento de temperatura.
Assim, com a polarização de base fixa, o circuito pode ser levado a um ponto de operação indesejável, o que limita bastante sua aplicação prática.
Para contornar o problema anterior, pode ser usado o circuito da Figura 02 A: a tensão na base é mantida pelo divisor de tensão formado por R
b1 e R
b2. A queda de tensão em R
e se contrapõe a essa polarização. Portanto, um aumento da corrente de coletor provoca um aumento da queda de tensão, reduzindo a corrente de base e estabilizando o circuito.
A análise do circuito é facilitada pelo equivalente conforme Figura 02 B. Nada muda na parte de coletor e emissor, apenas se considera V
cc a bateria indicada. Na parte de polarização de base, a simplificação é feita com auxílio do
Teorema de Thevenin, cujo enunciado é:
"Qualquer combinação de baterias e resistências, com dois terminais de saída, é equivalente a uma única fonte de tensão em série com um resistor. A tensão da fonte é igual à tensão do circuito sem carga (terminais abertos) e o valor do resistor é igual a essa tensão dividida pela corrente com os terminais em curto-circuito".
Consideram-se então, como combinação, V
cc, R
b1 e R
b2 e, como terminais, a base do transistor e a massa. Assim,
Vb = Rb2 Vcc / (Rb1 + Rb2) #A.1#, ou seja, tensão com a base desconectada.
A corrente com base e massa em curto-circuito é
Icc = Vcc / Rb1. E a resistência equivalente R
b é dada por:
Rb = Vb / Icc = Rb1 Rb2 / (Rb1 + Rb2) #B.1#.
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| Fig 02 |
Aplicando agora a Lei de Kirchhoff (∑ V = 0) para a malha formada por V
cc, R
c, coletor-emissor e R
e,
Vcc = Rc Ic + Vce + Re Ie #C.1#.
Desde que a corrente de base I
b é pequena, pode-se supor I
e ≈ I
c. E a igualdade anterior pode ser reescrita:
Ic = (1/R') Vcc − (1/R') Vce onde
R' = Rc + Re #D.1#.
Considerando V
cc e R' constantes, conclui-se que, segundo equação anterior, I
c varia linearmente em função de V
ce. E a reta pode ser traçada num gráfico, conforme linha contínua da Figura 03, bastando definir dois pontos quaisquer (por exemplo: para V
ce = 0, I
c = (1/R') V
cc e para I
c = 0, V
ce = V
cc).
Usando a Lei de Kirchhoff para o laço de polarização (novamente lembrando que I
e ≈ I
c),
Vb = Rb Ib + Vbe + Re Ic ou
Rb Ib = Vb − Vbe − Re Ic #E.1#.
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| Fig 03 |
A relação entre a corrente de coletor e a de base é chamada
ganho de corrente cc do transistor (simbolizada por h
FE) e, em geral, é dada pelo fabricante.
Assim,
Ic = hFE Ib #F.1#.
Substituindo esse valor de I
c na igualdade #E.1# e rearranjando, resulta em
Ib = (Vb − Vbe) / (Rb + hFE Re) #G.1#.
Isso significa que a corrente de base do transistor fica definida em função do h
FE do mesmo e tensão de alimentação e resistências do circuito.
Lembrar que a tensão base-emissor (V
be) pode ser considerada aproximadamente constante devido à polarização direta. Para os transistores de germânio (raros atualmente) é cerca de 0,2 V e para os de silício, na faixa de 0,6 a 0,7 V.
É evidente que essas são condições de repouso do circuito. Ainda não estão considerados os sinais a amplificar.
No gráfico da Figura 03, as linhas azuis representam correntes de base constantes para um transistor de baixa potência típico. Assim, em princípio, o ponto de operação deve ser a interseção da reta de carga definida pela igualdade #D.1# (reta vermelha) com a linha da respectiva corrente de base calculada por #G.1#.
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| Fig 04 |
Exemplo hipotético: circuito da Figura 04
Conforme #A.1#: V
b = (6 . 2) / (4 + 2) = 2 V.
Conforme #B.1#: R
b = (4 . 2) / (4 + 2) = 1,33 KΩ.
Conforme #G.1#: I
b = (2 − 0,7) / (1330 + 100 . 1000) = 12,8 10
−6 A = 12,8 µA.
Conforme #F.1#: I
c = 100 . 12,8 10
−6 = 1,28 mA.
A tensão coletor-emissor é dada pela igualdade #C.1#:
V
cc = R
c I
c + V
ce + R
e I
e. Assim, V
ce = 6 − 2000 1,28 10
−3 − 1000 1,28 10
−3 = 2,16 V.