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| Transistores NPN de média potência para
uso geral. |
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| - |
BD135 |
BD137 |
BD139 |
| Vce max V |
45 |
60 |
80 |
| Vcb max V |
45 |
60 |
100 |
| Ic max A |
1 |
1 |
1 |
| Pot max W |
8 |
8 |
8 |
| Hfe |
40-250 |
40-160 |
40-160 |
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BD677, BD677A, BD679,
BD679A, BD681, BD678, BD678A, BD680 ... |
↑Topo • Fim↓
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Transistores Darlington complementares de potência. Aplicação:
Circuitos lineares e de comutação.
NPN: BD677/A BD679/A BD681. PNP: BD678/A BD680/A BD682 |
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| Simb |
Valores máximos |
BD677/A
BD678/A |
BD679/A
BD680/A |
BD681
BD682 |
Unid |
| VCBO |
Tensão coletor-base |
60 |
80 |
100 |
V |
| VCEO |
Tensão coletor-emissor |
60 |
80 |
100 |
V |
| VEBO |
Tensão emissor-base |
5 |
5 |
5 |
V |
| IC |
Corrente de coletor |
4 |
4 |
4 |
A |
| ICM |
Corrente de pico de coletor |
6 |
6 |
6 |
A |
| IB |
Corrente de base |
0,1 |
0,1 |
0,1 |
A |
| Ptot |
Potência dissipada temp amb
< 25°C |
40 |
40 |
40 |
W |
| Tstg |
Temperatura de armazenagem |
-65
a 150 |
-65
a 150 |
-65
a 150 |
°C |
| Tj |
Temperatura da junção |
150 |
150 |
150 |
°C |
| Rjs |
Resistência térmica junção/invólucro max |
3,12 |
3,12 |
3,12 |
ºC/W |
| Rja |
Resistência térmica junção/ambiente max |
100 |
100 |
100 |
ºC/W |
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Transistor NPN de potência, de alta
velocidade de comutação, com um diodo damper integrado, para uso
em circuitos de deflexão horizontal de televisores em cores e
monitores de vídeo.
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| Tensão de pico coletor/emissor Vce |
1500 V |
| Tensão máxima coletor/emissor Vce |
700 V |
| Corrente de pico de coletor Ic |
15 A |
| Corrente máxima de coletor Ic |
8 A |
| Potência máxima |
45 W |
| Temperatura máxima da junção |
150ºC |
| Resistência térmica
junção/dissipador s/ pasta |
3,7ºC/W |
| Resistência térmica
junção/dissipador c/ pasta |
2,8ºC/W |
| Resistência térmica junção/ar
sem dissipador |
35ºC/W |
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Transistor NPN de potência, de alta
velocidade de comutação, com um diodo damper integrado, para uso
em circuitos de deflexão horizontal de televisores em cores e
monitores de vídeo.
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| Tensão de pico coletor/emissor Vce |
1500 V |
| Tensão máxima coletor/emissor Vce |
800 V |
| Corrente de pico de coletor Ic |
25 A |
| Corrente máxima de coletor Ic |
10 A |
| Potência máxima |
45 W |
| Temperatura máxima da junção |
150ºC |
| Resistência térmica
junção/dissipador c/ pasta térmica |
2,8ºC/W |
| Resistência térmica junção/ar
sem dissipador |
35ºC/W |
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MOSFET de canal N para uso em fontes
chaveadas, conversores DC-DC, controle de motores e aplicações de
comutação em geral.
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| Tipo |
A / B |
| Tensão dreno-fonte max VDS |
200 / 200 V |
| Corrente permanente de dreno max ID |
19 / 17 A |
| Resistência dreno-fonte na
condução |
0,16 / 0,2 W |
| Potência dissipada max PD |
125 / 125 W |
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Portas lógicas CMOS NÃO E (NAND) de duas
entradas.
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| Tensão de alimentação Vdd
(recomendado) |
3 a 18 V |
| Tensões das entradas |
-0,5 V a Vdd+0,5 V |
| Corrente por entrada (max) |
±10 mA |
| Potência dissipada Pd (max) |
500 mW |
| Potência dissipada por saída (max) |
100 mW |
| Temperatura de operação |
-55 a +125ºC |
A disposição dos terminais considera o componente visto
"de cima" ("top view").
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Portas lógicas CMOS NÃO E (NAND) de
quatro entradas.
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| Tensão de alimentação Vdd
(recomendado) |
3 a 18 V |
| Tensões das entradas |
-0,5 V a Vdd+0,5 V |
| Corrente por entrada (max) |
±10 mA |
| Potência dissipada Pd (max) |
500 mW |
| Potência dissipada por saída (max) |
100 mW |
| Temperatura de operação |
-55 a +125ºC |
A disposição dos terminais considera o componente visto
"de cima" ("top view").
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Portas lógicas CMOS NÃO E (NAND) de
três entradas.
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| Tensão de alimentação Vdd
(recomendado) |
3 a 18 V |
| Tensões das entradas |
-0,5 V a Vdd+0,5 V |
| Corrente por entrada (max) |
±10 mA |
| Potência dissipada Pd (max) |
500 mW |
| Potência dissipada por saída (max) |
100 mW |
| Temperatura de operação |
-55 a +125ºC |
A disposição dos terminais considera o componente visto
"de cima" ("top view").
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